SBR20E100CT

Diodes Incorporated
621-SBR20E100CT
SBR20E100CT

Produttore:

Descrizione:
Diodi e raddrizzatori Schottky 20A SBR 100Vrrm 120Vrwm 180Ifsm

Scheda dati:
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Diodes Incorporated
Categoria prodotto: Diodi e raddrizzatori Schottky
RoHS::  
REACH - SVHC:
Schottky Rectifiers
Through Hole
TO-220AB-3
Dual Anode Common Cathode
Si
20 A
100 V
850 mV
250 A
100 uA
- 65 C
+ 175 C
SBR20E100
Tube
Marchio: Diodes Incorporated
Tipo di prodotto: Schottky Diodes & Rectifiers
Quantità colli di fabbrica: 50
Sottocategoria: Diodes & Rectifiers
Vr - Tensione inversa: 100 V
Peso unità: 1,850 g
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Scheda dati

PCN

Codici di conformità
TARIC:
8541100000
CNHTS:
8504409190
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

SBR20E100x Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc. SBR20E100x Super Barrier Rectifiers deliver low forward voltage drop (VF) with excellent low reverse leakage stability at high temperatures. These rectifiers are composed of molded plastic in a TO-220AB case with matte tin finish terminals annealed over a copper lead frame. Patented SBR technology provides good avalanche capability ensuring rugged and reliable end applications. SBR20E100x rectifiers are designed to be used as rectification, freewheeling, or polarity protection diodes for DC-DC converters and AC-DC adapters/chargers. The Halogen and Antimony free green devices include a lead-free finish and ROHS compliance.

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.

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