DTMOSIV-H MOSFETs

Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs are suited to applications that require high reliability, power efficiency, and a compact design, such as high-efficiency switching power supplies for servers and telecom base stations and as power conditioners for photovoltaic inverters. Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs achieve a high-speed switching performance while keeping the low ON-resistance level of conventional DTMOSIV and without loss of power. This is accomplished by reducing parasitic capacitance between gate and drain, which also contributes to improved power efficiency and downsizing of products.

Risultati: 19
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Toshiba MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
Scheda dati
4.913A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 78 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV-H Reel, Cut Tape

Toshiba MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
Scheda dati
30A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 85 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6
Scheda dati
45A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 24 mOhms 30 V 4 V 140 nC + 150 C 506 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
665A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
94A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
84A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
39A magazzino
6020/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
Scheda dati
72A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
Scheda dati
34A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Scheda dati
46A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
9815/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
6020/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
Scheda dati
6020/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Scheda dati
520/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8?8 PD=180W F=1MHZ
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Reel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Reel
Toshiba MOSFET 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 DTMOSIV-H Reel