Transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP 1.200 V

I transistori discreti IGBT H7 TRENCHSTOP da 1.200 V di Infineon Technologies rappresentano la 7^ª generazione di IGBT TRENCHSTOP™ da 1.200 V, progettati con tecnologia trench a micro-pattern. Questi IGBT discreti offrono un elevato livello di controllabilità, basse perdite di conduzione, basse perdite di commutazione, prestazioni EMI migliorate e resistenza all'umidità in ambienti difficili. I transistor discreti IGBT7 H7 consentono la selezione di un resistore di porta basso (fino a 5 Ω) pur mantenendo un eccellente comportamento di commutazione. Questi transistori sono utilizzati nella carica rapida dei veicoli elettrici, nel riscaldamento industriale e nella saldatura, nonché nelle applicazioni dei gruppi statici di continuità (UPS).