GANB4R8-040CBAZ

Nexperia
771-GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ

Produttore:

Descrizione:
GaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
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Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™
2,49 € 2,49 €
1,62 € 16,20 €
1,58 € 79,00 €
1,12 € 112,00 €
0,929 € 464,50 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
0,903 € 2.257,50 €
0,783 € 3.915,00 €
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Nexperia
Categoria prodotto: GaN FETs
RoHS::  
SMD/SMT
WLCSP-22
N-Channel
1 Channel
20 A
- 6 V, + 6 V
15.8 nC
- 40 C
+ 125 C
13 W
Enhancement
Marchio: Nexperia
Configurazione: Single
Confezione: Reel
Confezione: Cut Tape
Confezione: MouseReel
Tipo di prodotto: GaN FETs
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: GaN
Alias n. parte: 934667630341
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Attributi selezionati: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

FET GaN bidirezionale GANB4R8-040CBA

Il FET GaN bidirezionale GANB4R8-040CBA di Nexperia è un transistor a effetto di campo GaN bidirezionale da 40 V, 4,8 mΩ a base di nitruri di gallio (GaN) ad alta mobilità elettronica. Il GANB4R8-040CBA è un FET emode normalmente spento che offre prestazioni superiori. Il GANB4R8-040CBA di Nexperia è disponibile in un package Wafer-Level Chip Scale (WLCSP).