MOSFET di potenza singoli a canale P NxJS3151P
I MOSFET di potenza singoli a canale P NxJS3151P di onsemi sono MOSFET ad alte prestazioni progettati per applicazioni di commutazione efficienti. Alloggiati in un package compatto SC-88 (SOT-363) 2 mm x 2 mm, questi MOSFET di onsemi offrono una bassa RDS(on) di soli 45 mΩ a -4,5 V, consentendo di ridurre le perdite di conduzione e migliorare le prestazioni termiche. Con una corrente di drain massima di -3,3 A e una tensione nominale drain-source di -12 V, i dispositivi NxJS3151P sono adatti per commutazione di carico in dispositivi portatili e alimentati a batteria. La carica di gate ultra bassa e le caratteristiche di commutazione rapida contribuiscono a potenziare l'efficienza energetica rendendo i MOSFET di potenza a canale P singolo NxJS3151P di onsemi ideali per progetti con vincoli di spazio in cui densità di potenza e affidabilità sono fondamentali.
