IGBT Trench Field Stop RGTV 650 V

Gli IGBT Trench Field Stop RGTV 650 V di ROHM Semiconductor offrono una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore in un package di dimensioni ridotte. Gli IGBT RGTV presentano commutazione ad alta velocità, bassa perdita di commutazione e un tempo di resistenza ai cortocircuiti di 2μs. Gli IGBT Trench Field Stop RGTV 650 V di ROHM sono ideali per inverter solari, UPS, saldatura, IH e applicazioni PFC.

Risultati: 7
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Scheda dati
456A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Scheda dati
846A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 60A Field Stop Trench IGBT
Scheda dati
439A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 30 V, 30 V 111 A 319 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Scheda dati
449A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Scheda dati
399A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
Scheda dati
450A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
Scheda dati
450A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube