MOSFET SiC discreti E4MS da 1.200 V

I MOSFET discreti in carburo di silicio (SiC) di Wolfspeed E4MS da 1.200 V offrono prestazioni senza pari nelle applicazioni per il settore automobilistico di bordo. La famiglia E4MS utilizza un diodo di corpo veloce e morbido che consente una commutazione rapida con oscillazioni e sovraccarichi minimi, ampliando lo spazio di progettazione utilizzabile per gli ingegneri per regolare e ottimizzare le prestazioni nell'applicazione. La famiglia E4MS offre perdite Eon, ERR ed Eoff migliorate rispetto alla famiglia di dispositivi E3M, mantenendo al contempo un coefficiente di temperatura RDS(on) ridotto. Questo approccio equilibrato offre prestazioni e efficienza massime in una vasta gamma di topologie di bordo.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
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SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
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SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
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SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
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SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 274 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
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SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
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SMD/SMT TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 186 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
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SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
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Tempo di consegna, se non a magazzino 22 settimane
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SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
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Min: 800
Mult.: 800
Nastrati: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101