APR34509MPTR-G1

Diodes Incorporated
621-APR34509MPTR-G1
APR34509MPTR-G1

Produttore:

Descrizione:
Convertitori CA-CC ACDC Synch Rect Cont EP

Modello ECAD:
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Diodes Incorporated
Categoria prodotto: Convertitori CA-CC
RoHS::  
SMD/SMT
SO-8EP
5 V to 12 V
3.3 V
13 V
Flyback
Si
100 uA
+ 150 C
20 A
Reel
Marchio: Diodes Incorporated
Sensibili all’umidità: Yes
Numero di uscite: 1 Output
Prodotto: Secondary Side Controllers
Tipo di prodotto: AC/DC Converters
Quantità colli di fabbrica: 4000
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

APR34509 Synchronous Rectification Switcher

Diodes Incorporated APR34509 Synchronous Rectification Switcher is a secondary side combo IC, which combines an N-channel MOSFET and a driver circuit. The APR34509 provides synchronous rectification in a small SO-8EP package. This synchronous rectifier improves efficiency with minimum BOM cost and solution size. The APR34509 supports CCM, DCM, and quasi-resonant modes. This switcher enhances the MOSFET to minimize conduction losses, eliminates resonant ring interference and detects the supply voltage very fast. The APR34509 is RoHS compliant and free from lead, halogen, and antimony-free. Applications include adapters/chargers for cell/cordless phones, ADSL modems, MP3 and other portable apparatus. The APR34509 is also used in standby and auxiliary power supplies.

Controller SR lato secondario

I controller di raddrizzamento sincrono (SR) secondario di Diodes Inc. sono driver MOSFET lato secondario per il raddrizzamento sincrono nel funzionamento DCM. Questi dispositivi possono ridurre efficacemente la dissipazione di potenza del raddrizzatore lato secondario e fornire una soluzione ad alte prestazioni. Il MOSFET a canale N è stato ottimizzato per bassa carica del gate, bassa RDS (ON), velocità di commutazione elevata e prestazioni di recupero di inversione del diodo corpo. Rilevando la tensione drain-source del MOSFET, questi controller possono emettere un segnale di pilotaggio ideale con un minor numero di componenti esterni.