SUD70090E-GE3

Vishay Semiconductors
78-SUD70090E-GE3
SUD70090E-GE3

Produttore:

Descrizione:
MOSFET 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Vishay
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
50 A
8.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
50 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
ThunderFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Vishay Semiconductors
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 45 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 27 ns
Serie: SUD
Quantità colli di fabbrica: 2000
Sottocategoria: Transistors
Ritardo di spegnimento tipico: 36 ns
Tipico ritardo di accensione: 15 ns
Peso unità: 330 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

SUD70090E N-Channel MOSFET

Vishay SUD70090E N-Channel MOSFET is a 100V ThunderFET® module with a 175°C maximum junction temperature. The SUD70090E features a QGD/QGS ratio of <1 for optimized switching and is 100% Rg and UIS tested. Typical applications for Vishay SUD70090E N-Channel MOSFET include DC/DC converters, power tools, motor drive switches, DC/AC inverters, and battery management.

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MOSFET di potenza ThunderFET®

I MOSFET di potenza ThunderFET® di Vishay Siliconix offrono i valori di resistenza in conduzione più bassi del settore, per MOSFET da 100 V con tensione nominale di 4,5 V. Oltre alla resistenza in conduzione e alla carica del gate, anche la cifra di merito (FOM) per MOSFET da utilizzare in applicazioni di conversione CC-CC è la migliore della categoria. Per i progettisti, la bassa resistenza in conduzione significa minori perdite in conduzione e ridotto consumo di energia, per soluzioni ecologiche orientate al risparmio energetico. Questi dispositivi sono ottimizzati per commutazione primaria e rettifica sincrona secondaria negli alimentatori CC/CC isolati per convertitori brick e bus di telecomunicazione. I MOSFET da 4,5 V di resistenza in conduzione consentono l'uso di un'ampia gamma di PWM e IC di pilotaggio del gate.
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40V TrenchFET Gen IV & 100V ThunderFET MOSFETs

Vishay / Siliconix 40V TrenchFET Gen IV and 100V ThunderFET MOSFETs offer low ON-resistance and low total gate charge. This low ON-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Available packages include TO-220, TO-252, as well as a space-saving, small-outline PowerPAK® option. Vishay / Siliconix 40V TrenchFET Gen IV and 100V ThunderFET MOSFETs are 100% Rg and UIS tested, halogen free, and RoHS compliant.