NSV40301MZ4T3G

onsemi
863-NSV40301MZ4T3G
NSV40301MZ4T3G

Produttore:

Descrizione:
Transistor bipolari - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101

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onsemi
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS::  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
NPN
Single
5 A
40 V
40 V
6 V
2 W
215 MHz
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
NSS40301MZ4
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Corrente continua collettore: 3 A
Guadagno in corrente CC hFE max: 500
Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica: 4000
Sottocategoria: Transistors
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290055
ECCN:
EAR99

Transistor di potenza bipolare NSV40301MZ4

Il transistor di potenza bipolare NSV40301MZ4 di onsemi è una combinazione di bassa tensione di saturazione e transistor NPN VCE (sat) a basso guadagno elevato. Questo transistor bipolare presenta una tensione collettore-emettitoreCC di 40 V, corrente di baseCC di 1 A e un intervallo di temperatura di funzionamento e conservazione della giunzione da -55 °C a 150 °C. Il transistor di potenza bipolare NSV40301MZ4 è privo di piombo, alogeni/BFR e conforme a RoHS. Le applicazioni tipiche includono regolazione della tensione, gestione dell’alimentazione per dispositivi portatili, regolatori di commutazione, controlli motori e convertitori CC-CC.