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QPD0005MTR13

Name: Qorvo QPD0005MTR13
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0005MTR13
Price: 9.16 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

772-QPD0005MTR13

N. produttore:

QPD0005MTR13

Produttore:

Qorvo

Descrizione:

GaN FETs 2.5-5.0GHz 8W 48V GaN Transistor

Ciclo di vita:

NRND:

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Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	9,16 €	9,16 €
	6,39 €	63,90 €
	6,10 €	152,50 €
	5,29 €	529,00 €
	5,05 €	1.262,50 €
	4,68 €	2.340,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	3,97 €	9.925,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Qorvo
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Package/involucro:	4.5 mm x 4 mm
Vds - Tensione di rottura drain-source:	48 V
Marchio:	Qorvo
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	MY
Guadagno:	18.6 dB
Frequenza di lavoro massima:	5 GHz
Frequenza di lavoro minima:	2.5 GHz
Sensibili all’umidità:	Yes
Potenza di uscita:	8 W
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Serie:	QPD0005M
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	HEMT
Alias n. parte:	QPD0005M

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

Transistor RF JFET QPD0005M

I transistor JFET RF Qorvo QPD0005M sono HEMT GaN su SiC discreti a percorso singolo in un package DFN rivestito in plastica. I transistor operano da 2,5 a 5,0 GHz. I dispositivi sono transistor monostadio senza eguali in grado di fornire un P_SAT di 5,9 W che funziona a +48 V.