PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ +25°C. PANJIT PTGH IGBTs are co-packaged with low Qrr and a soft recovery diode. The IGBTs ensure efficient performance with a maximum junction temperature of TVJ +175°C. The devices are designed for reliability under demanding conditions. A positive coefficient VCEsat enables easy paralleling usage. Moreover, the IGBTs are lead-free, comply with EU RoHS 2.0 standards, and utilize a Green molding compound in line with IEC 61249 standards.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Package/involucro Stile di montaggio Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di saturazione collettore-emettitore Tensione gate-emettitore massima Collettore a corrente continua a 25 °C Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Confezione
Panjit IGBTs 650V/75A Insulated Gate Bipolar Transistor 900A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 133 A 366 W - 40 C + 175 C Tube
Panjit IGBTs 650V/40A Insulated Gate Bipolar Transistor 834A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 76 A 220 W - 40 C + 175 C Tube