MOSFET di potenza R60xxKNZ4

I MOSFET di potenza R60xxKNZ4 di ROHM Semiconductor sono MOSFET a canale N da 600 V progettati per applicazioni di commutazione. Il R60xxKNZ4 offre bassa resistenza in conduzione e una velocità di commutazione rapida. I MOSFET di potenza R60xxKNZ4 ROHM sono disponibili in un package TO-247 che consente un facile collegamento in parallelo.

Risultati: 3
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 30A N-CH MOSFET
Scheda dati
1.700A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 24A N-CH MOSFET
Scheda dati
1.162A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 35A N-CH MOSFET
Scheda dati
600A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube