MOSFET di potenza Super Cool a doppio canale OptiMOS™

I MOSFET di potenza Super Cool a doppio canale OptiMOS™ di Infineon Technologies sono transistor di potenza a canale N in package SuperSO8 con capacità di raffreddamento doppio per ottimizzare le prestazioni termiche. I MOSFET di potenza OptiMOS Infineon sono stati sviluppati per aumentare l'efficienza, la densità di potenza e l'economicità. Questi dispositivi presentano bassa resistenza in stato attivo (RDS(on)) e bassa carica di recupero inverso (Qrr) per una maggiore densità di potenza, migliorando anche robustezza e affidabilità del sistema. L'omologazione per +175 °C facilita la progettazione, alternativamente con una maggiore potenza a una maggiore temperatura di esercizio della giunzione o con una maggiore durata alla stessa temperatura di esercizio della giunzione.

Risultati: 4
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 25.635A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.2 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 4.137A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 2.999A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 2.873A magazzino
10.00009/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 55 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel