MOSFET di potenza Ultra-Junction IX4

I MOSFET di potenza Ultra-Junction IX4 di IXYS sono MOSFET ad arricchimento a canale N collaudati per l'effetto a valanga con una tensione di rottura drain-source di 200 V. I MOSFET di potenza Ultra-Junction IX4 di IXYS sono disponibili in package TO-220 (IXTP) o TO-263 (IXTA) e offrono corrente di drain continua di 86 A o 94 A.

Risultati: 6
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Scheda dati
736A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
Scheda dati
2.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
Scheda dati
769A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
Scheda dati
696A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
Scheda dati
674A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
Scheda dati
1.436A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube