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STD65N160M9

Name: STMicroelectronics STD65N160M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD65N160M9
Price: 2.92 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STD65N160M9

N. produttore:

STD65N160M9

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Scheda dati:

STD65N160M9 Scheda dati (PDF)

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Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,92 €	2,92 €
	2,06 €	20,60 €
	1,44 €	144,00 €
	1,26 €	630,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	1,07 €	2.675,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	17 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	160 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.2 V
Qg - Carica del gate:	32 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	106 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Tempo di caduta:	7 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	4 ns
Serie:	MDmesh M9
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	330 mg

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Super-junction Power MOSFETs for best efficiency (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N STD65N160M9

Il MOSFET di potenza a canale N STD65N160M9 di STMicroelectronics è basato sulla tecnologia a supergiunzione MDmesh M9. Il MOSFET è adatto per una tensione media/alta con R_DS(on) molto basso per area. La tecnologia M9 basata sul silicio trae vantaggio da un processo di produzione multi-drain, che consente di migliorare la struttura del dispositivo. In questo modo, il prodotto offre una resistenza in conduzione e valori di carica del gate più bassi tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione e commutazione rapida basati sul silicio. Ciò lo rende particolarmente adatto per applicazioni che richiedono densità di potenza superiore ed efficienza eccezionale.

MOSFET di potenza MDmesh™ M9

I MOSFET di potenza MDmesh™ M9 di STMicroelectronics sono caratterizzati da una struttura migliorata, bassa resistenza ON e bassi valori di carica di gate. Questi MOSFET di potenza offrono un'elevata robustezza del diodo inverso dv/dt e del MOSFET dv/dt, un'elevata densità di potenza e basse perdite di conduzione. I MOSFET di potenza MDmesh M9 offrono anche alta velocità di commutazione, alta efficienza e basse perdite di potenza di commutazione. Questi MOSFET di potenza sono progettati con un'innovativa tecnologia di super-giunzione ad alta tensione che fornisce una cifra di merito (FoM) eccezionale. L'alto FoM consente livelli di potenza e densità più elevati per soluzioni più compatte. Le applicazioni tipiche includono server, data center di telecomunicazione, stazioni di alimentazione 5G, microinverter e caricabatterie rapidi.