Transistori di potenza CoolGaN™ Gen 2 da 650 V

I transistor di potenza CoolGaN™ Gen 2 650V di Infineon Technologies sono dotati di una tecnologia transistor GaN (nitruro di gallio) altamente efficiente per la conversione di potenza in un intervallo di tensione fino a 650 V. La tecnologia GaN di Infineon porta il concetto di modalità e a maturità con alti volumi di produzione end-to-end. Questa qualità pionieristica garantisce gli standard più elevati e offre le prestazioni più affidabile. I transistori di potenza in modalità di miglioramento CoolGaN™ Gen 2 da 650 V migliorano l'efficienza del sistema e la densità di potenza con una commutazione ultraveloce.

Risultati: 12
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 4.684A magazzino
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SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 4.892A magazzino
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SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 4.928A magazzino
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SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 302A magazzino
1.80019/03/2026 previsto
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SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 1.465A magazzino
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SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 1.242A magazzino
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SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 1.674A magazzino
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SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 415A magazzino
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SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 761A magazzino
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SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 1.388A magazzino
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SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 730A magazzino
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SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
3.635In ordine
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SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement