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IPDQ60R010S7AXTMA1

Name: Infineon IPDQ60R010S7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-DQ60R010S7AXTMA1
Price: 17.9 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-DQ60R010S7AXTMA1

N. produttore:

IPDQ60R010S7AXTMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

Scheda dati:

IPDQ60R010S7AXTMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	17,90 €	17,90 €
	13,41 €	134,10 €
	11,95 €	1.195,00 €
	11,71 €	5.855,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	50 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	10 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	318 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	694 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Infineon Technologies
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Quantità colli di fabbrica:	750
Sottocategoria:	Transistors
Alias n. parte:	IPDQ60R010S7A SP002063384

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

dispositivo di alimentazione 600 V CoolMOS™ SJ S7A

600 V dispositivo Infineon Technologies CoolMOS™ SJ S7A è un campo MOSFET di potenza alta tensione, progettato come un interruttore fattore statico. Il dispositivo è stato progettato secondo il principio di super-junction (SJ) Tecnologie Infineon. Combina l’esperienza del fornitore leader di SJ RAPT MOSFET con l'innovazione di alto livello per R_{DS (on) a basso R DS (on)} in un QDPAK package. S7A EMA serie è ottimizzata per la commutazione utilizzo a bassa frequenza e per l' alta corrente applications comeinterruttori di circuito.