Transistor a bassa VCE (sat) per uso generico NSS100xCL

onsemi NSS100xCL General Purpose Low VCE(sat) Transistors are high-performance bipolar junction transistors designed for automotive and other demanding applications. The onsemi NSS100xCL transistors feature large current capacity, low collector-to-emitter saturation voltage [VCE(sat)], and high-speed switching. This device delivers exceptional efficiency and reliability. Housed in a compact, thin-profile LFPAK8 package (3.3mm x 3.3mm), it offers high allowable power dissipation for robust performance. Fully AEC-Q101-qualified and PPAP capable, the NSS100xCL series meets stringent automotive standards and is Pb-free, halogen-free/BFR-free, and RoHS compliant, ensuring eco-friendly design compatibility.

Risultati: 4
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Configurazione
Corrente CC massima collettore
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione base-collettore VCBO
Tensione emettitore-base VEBO
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
onsemi Transistor bipolari - BJT 100V 2.5A PNP LOW SATURATION BJT
Scheda dati
2.970A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 PNP Single 4 A 100 V 120 V 7 V 300 mV 2.2 W 200 MHz - 55 C + 175 C NSS1001CL Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT 100V 2.5A NPN LOW SATURATION BJT
Scheda dati
2.870A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 NPN Single 4 A 100 V 120 V 6.5 V 2.2 W 200 MHz - 55 C + 175 C NSS1002CL Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT 100V 2.5A PNP LOW SATURATION BJT
Scheda dati
2.995A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 PNP Single 4 A 100 V 120 V 7 V 300 mV 2.2 W 200 MHz - 55 C + 175 C NSS1001CL Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT 100V 2.5A NPN LOW SATURATION BJT
Scheda dati
2.990A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 NPN Single 4 A 100 V 120 V 6.5 V 2.2 W 200 MHz - 55 C + 175 C NSS1002CL Reel, Cut Tape