Moduli Q2Pack e Q2BOOST NPC a tre livelli

Moduli Q2Pack NXH350N100H4Q2F2 di Onsemi a tre livelli NPC sono moduli integrati di potenza (PIM) contenenti un singolo stadio NPC di tipo I. Lo stadio NPC di tipo I include diodi SiC da 100 A, 1.200 V per i morsetti del punto neutro, IGBT da 350 A, 1.000 V per gli IGBT esterni e IGBT da 400 A, 1.000 V per gli IGBT interni. Il modulo Q2Pack NXH350N100H4Q2F2 di onsemi offre una potenza di uscita superiore rispetto ad altre soluzioni IGBT da 1.200 V e contiene un termistore integrato. Il modulo Q2BOOST Onsemi offre un'ottima efficienza e perdite termiche con la flessibilità di supportare diversi processi di produzione.

Risultati: 4
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di saturazione collettore-emettitore Collettore a corrente continua a 25 °C Corrente di perdita gate-emettitore Pd - Dissipazione di potenza Package/involucro Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Confezione


onsemi Moduli IGBT GEN1.5 1500V MASS MARKET 7A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 3-Phase Inverter 1 kV 1.63 V, 1.75 V 303 A, 298 A 2 uA 592 W, 731 W - 40 C + 150 C Tray
onsemi NXH400B100H4Q2F2PG
onsemi Moduli IGBT N06NF Q2BOOST 35A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Boost Power Modules IGBT Inverter 1 kV 1.88 V 164 A 1 uA 396 W PIM-50 - 40 C + 175 C Tray
onsemi NXH400B100H4Q2F2SG
onsemi Moduli IGBT N06NF Q2BOOST#1 35A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Boost Power Modules IGBT Inverter 1 kV 1.88 V 164 A 1 uA 396 W PIM-50 - 40 C + 175 C Tray
onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G
onsemi Moduli IGBT GEN1.5 1500V MASS MARKET 36A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Tray