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NDSH20120C

Name: onsemi NDSH20120C
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120C
Price: 9.63 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NDSH20120C

N. produttore:

NDSH20120C

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Diodi Schottky SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

Scheda dati:

NDSH20120C Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-2
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	20 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensione diretta:	1.38 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	119 A
Ir - Corrente inversa:	200 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	NDSH20120C
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Pd - Dissipazione di potenza:	214 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Nome commerciale:	EliteSiC
Vr - Tensione inversa:	1.2 kV

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Scheda dati

NDSH20120C Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Codici di conformità

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Repubblica di Corea
Paese di origine dell'assemblaggio:: Cina
Paese di diffusione:: Repubblica di Corea

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

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