Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

NDSH20120C

Name: onsemi NDSH20120C
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120C
Price: 7.77 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

863-NDSH20120C

N. produttore:

NDSH20120C

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Diodi Schottky SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

Scheda dati:

NDSH20120C Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su onsemi NDSH20120C

A magazzino: 174

A magazzino:: 174 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 13 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	7,77 €	7,77 €
	5,36 €	53,60 €
	4,46 €	446,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-2
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	20 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensione diretta:	1.38 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	119 A
Ir - Corrente inversa:	200 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	NDSH20120C
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Pd - Dissipazione di potenza:	214 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Nome commerciale:	EliteSiC
Vr - Tensione inversa:	1.2 kV

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

NDSH20120C Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Diodi EliteSiC D3

I diodi EliteSiC D3 di onsemi sono una soluzione per applicazioni che richiedono PFC ad alta potenza e raddrizzamento di uscita. Il D3 di onsemi ha una tensione nominale massima di 1200 V. Questi diodi sono disponibili in due opzioni di package, TO-247-2LD e TO-247-3LD, e forniscono flessibilità per vari progetti. I diodi Elitesici D3 sono ottimizzati per il funzionamento ad alta temperatura con bassa dipendenza dalla temperatura di resistenza in serie, garantendo prestazioni costanti e affidabili anche in condizioni estreme.

Diodi al carburo di silicio (SiC) NDSH20120C

I diodi al carburo di silicio (SiC) NDSH50120C di Onsemi offrono prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio L'NDSH20120C di Onsemi non presenta corrente di recupero inversa, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche. I vantaggi del sistema includono elevata efficienza, rapida frequenza operativa, maggiore densità di potenza, riduzione delle EMI e riduzione delle dimensioni e dei costi del sistema.