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PMDXB600UNELZ

Name: Nexperia PMDXB600UNELZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB600UNELZ
Price: 0.31 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

771-PMDXB600UNELZ

N. produttore:

PMDXB600UNELZ

Produttore:

Nexperia

Descrizione:

MOSFET SOT1216 2NCH 20V .6A

Scheda dati:

PMDXB600UNELZ Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,318 €	0,32 €
	0,188 €	1,88 €
	0,118 €	11,80 €
	0,085 €	42,50 €
	0,067 €	67,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)
	0,058 €	290,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Nexperia
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-1010-6
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	600 mA
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	470 mOhms, 470 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	450 mV
Qg - Carica del gate:	700 pC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	380 mW
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Nexperia
Configurazione:	Dual
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	MY
Tempo di caduta:	51 ns, 51 ns
Transconduttanza diretta - Min:	1 S, 1 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	9.2 ns, 9.2 ns
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	19 ns, 19 ns
Tipico ritardo di accensione:	5.6 ns, 5.6 ns
Alias n. parte:	934070432147
Peso unità:	1,217 mg

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MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

PMDXB600UNEL 20V Dual N-Channel Trench MOSFET

Nexperia PMDXB600UNEL 20V Dual N-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) housed in a leadless ultrasmall surface-mounted plastic package. The PMDXB600UNEL features a low leakage current, and an exposed drain pad for excellent thermal conduction. Typical applications include relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.