MOSFET a canale N (DTMOSIV) Si TK16x60W

I MOSFET a canale N Si TK16x60W (DTMOSIV) di Toshiba mostrano il design del chip della generazione DTMOSIV e sono disponibili in diverse varianti. I MOSFET a canale N Si presentano bassa resistenza in conduzione drain-source e tempo di recupero inverso rapido. Questi MOSFET possono controllare facilmente la commutazione della porta. I MOSFET TK16x60W sono disponibili in diverse dimensioni e sono disponibili in package DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220 e TO-220SIS diversi. Questi  MOSFET a canale N TK16x60W Si sono utilizzati nei regolatori di tensione di commutazione.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ
Scheda dati
991A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ
Scheda dati
2.495A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 245 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
Scheda dati
156A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
Scheda dati
121A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Scheda dati
79A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Scheda dati
19A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Scheda dati
8915/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 18 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
Nastrati: 1.000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel