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CDMS24783-120 SL

Name: Central Semiconductor CDMS24783-120 SL
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDM24783120SL
Price: 24.62 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

610-CDM24783120SL

N. produttore:

CDMS24783-120 SL

Produttore:

Central Semiconductor

Descrizione:

MOSFET SiC 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

CDMS24783-120 SL Scheda dati (PDF)

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	24,62 €	24,62 €
	15,97 €	159,70 €
	15,94 €	1.912,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Central Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	18 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	150 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	55 C
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	28 W
Modalità canale:	Depletion
Marchio:	Central Semiconductor
Configurazione:	Single
Prodotto:	MOSFETs
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC MOSFET

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Scheda dati

CDMS24783-120 SL Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET

Central Semiconductor CDMS24783-120 Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications. This SiC MOSFET features a 20V gate-source voltage, 18A continuous drain current, 28W power dissipation, and 20A pulsed drain current. The CDMS24783-120 MOSFET supports higher breakdown voltage and better thermal conductivity. This device is available in a TO-247 package with an operating temperature range of -55°C to 175°C. Typical applications include Electric Vehicles (EV), renewable energy systems, and medical imaging equipment.