DMTH4004 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH4004 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON). These MOSFETs are ideal for high ambient temperature environments and are rated up to 175°C. The N-Channel MOSFETs are 100% UIS (Unclamped Inductive Switching) tested in production which ensures more reliable and robust end application. These MOSFETs offer a 40V drain-to-source voltage and minimizes switching losses. In DMTH4004 series the DMTH4004SCTBQ, DMTH4004SPSQ, and DMTH4004LK3 MOSFETs are designed to meet the strict requirements of automotive applications. All these MOSFETs are PPAP (Production Part Approval Process) capable and are qualified to AEC-Q101 standard. Diodes Incorporated DMTH4004 series MOSFETs are ideal for use in engine management systems, body control electronics, and DC-DC converters.

Risultati: 9
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Confezione
Diodes Incorporated MOSFET 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A 2.415A magazzino
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Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 40V N-Ch Enh FET Low Rdson 2.363A magazzino
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Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 2.370A magazzino
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Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 82.2 nC - 55 C + 175 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 548A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 43A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 15.000Disponibile a magazzino presso produttore
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Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 10.000Disponibile a magazzino presso produttore
Min: 2.500
Mult.: 2.500
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 2.500
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Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 69.6 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) AEC-Q101 Reel