MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5C604N

Il MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5C604N di onsemi presenta una corrente di drain continua di 288 A, 1,2 mΩ a 10 V RDS(ON) e una tensione drain-source di 60 V. Il NVMFS5C604N è disponibile in un package piatto a 5 mm x 6 mm, sviluppato per progetti compatti ed efficienti. Il MOSFET qualificato AEC-Q101 onsemi è compatibile con PPAP e ideale per applicazioni del settore automobilistico.

Risultati: 8
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Confezione
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 4.359A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 1.716A magazzino
4.50010/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 288 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 324A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 288 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V HEFET 6.817A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V HEFET 3.643A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 210
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 97A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
1.50014/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V HEFET Tempo di consegna, se non a magazzino 18 settimane
Min: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 40 A, 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 3.9 W, 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel