IGBT AFGHxL25T a canale N singolo da 1.200 V 25 A

I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) a canale N singolo AFGHxL25T da 1.200 V 25 A di onsemi presentano una struttura a trincea Field Stop VII robusta ed economica. L' AFGHxL25T di onsemi offre prestazioni superiori in applicazioni di commutazione esigenti. La bassa tensione in stato attivo e la perdita di commutazione minima garantiscono prestazioni ottimali della topologia a commutazione dura e morbida nelle applicazioni automobilistiche.

Risultati: 4
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
onsemi IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L
Scheda dati
444A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 50 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L25T120RW Tube
onsemi IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L
Scheda dati
445A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 50 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L25T120RWD Tube
onsemi IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 3L
Scheda dati
418A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.38 V 20 V 50 A 468 W - 55 C + 175 C AFGHL25T120RW Tube
onsemi IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 3L
Scheda dati
278A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.38 V 20 V 50 A 468 W - 55 C + 175 C AFGHL25T120RWD Tube