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TGF3015-SM

Name: Qorvo TGF3015-SM
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF3015-SM
Price: 93.04 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

772-TGF3015-SM

N. produttore:

TGF3015-SM

Produttore:

Qorvo

Descrizione:

GaN FETs .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN

Scheda dati:

TGF3015-SM Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	93,04 €	93,04 €
	66,75 €	1.668,75 €
	60,46 €	6.046,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Qorvo
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-EP-16
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	32 V
Id - corrente di drain continua:	557 mA
Pd - Dissipazione di potenza:	15.3 W
Marchio:	Qorvo
Configurazione:	Single
Kit di sviluppo:	TGF3015-SM-EVB1
Guadagno:	17.1 dB
Frequenza di lavoro massima:	3 GHz
Frequenza di lavoro minima:	30 MHz
Sensibili all’umidità:	Yes
Potenza di uscita:	11 W
Confezione:	Tray
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Serie:	TGF3015
Quantità colli di fabbrica:	100
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	HEMT
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 2.7 V
Alias n. parte:	TGF3015 1120419
Peso unità:	6,745 g

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Scheda dati

TGF3015-SM Scheda dati (PDF)

PCN

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CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

HEMT GaN TGF3015-SM

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