Prova la differenza di potenza

Infineon è il leader nel mercato dei semiconduttori di potenza. Con oltre 20 anni di esperienza e come pioniere dell'innovazione con la rivoluzionaria tecnologia MOSFET a supergiunzione CoolMOS™, Infineon continua a essere all'avanguardia nel settore della gestione energetica. I clienti possono scegliere - in base ai requisiti individuali di progettazione/di sistema - dalla più ampia gamma di MOSFET SJ in silicio del settore. Infineon è uno dei pochi produttori in grado di padroneggiare tutte e tre le principali tecnologie di alimentazione, quindi può integrare questo assortimento con innovative offerte WBG (Wide Band Gap). Questa offerta comprende MOSFET CoolSiC™a base di carburo di silicio, i diodi corrispondenti e HEMT CoolGaN ™ a base di nitruro di gallio. Sono disponibili varie soluzioni, da quelle caratterizzate da prezzi eccezionali a quelle con una robustezza senza pari, fino ai dispositivi migliori della categoria. Ciò consente ai clienti di creare applicazioni più efficienti, ecologiche e sostenibili.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
2.50016/04/2026 previsto
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Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DISCRETE
1.00002/07/2026 previsto
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Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
1.00002/03/2026 previsto
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Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
91506/03/2026 previsto
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Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
35011/06/2026 previsto
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
22703/07/2026 previsto
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Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET Tempo di consegna, se non a magazzino 11 settimane
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Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
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Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
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Infineon Technologies Driver di porta ISOLATED DRIVER Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
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Infineon Technologies Driver di porta 600V high & low-side 0.7A,integrated BSD Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
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Infineon Technologies Driver di porta 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
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Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DISCRETE Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
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Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW Tempo di consegna, se non a magazzino 13 settimane
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Infineon Technologies MOSFET CONSUMER Tempo di consegna 26 settimane
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW Tempo di consegna, se non a magazzino 17 settimane
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Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW Tempo di consegna, se non a magazzino 19 settimane
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Infineon Technologies Driver di porta ISOLATED DRIVER Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
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Infineon Technologies Driver di porta 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
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Infineon Technologies 2ED300C17-ST ROHS
Infineon Technologies Driver di porta HALFBRIDGE DRV 30A DC/DC 1700V Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
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