Prova la differenza di potenza

Infineon è il leader nel mercato dei semiconduttori di potenza. Con oltre 20 anni di esperienza e come pioniere dell'innovazione con la rivoluzionaria tecnologia MOSFET a supergiunzione CoolMOS™, Infineon continua a essere all'avanguardia nel settore della gestione energetica. I clienti possono scegliere - in base ai requisiti individuali di progettazione/di sistema - dalla più ampia gamma di MOSFET SJ in silicio del settore. Infineon è uno dei pochi produttori in grado di padroneggiare tutte e tre le principali tecnologie di alimentazione, quindi può integrare questo assortimento con innovative offerte WBG (Wide Band Gap). Questa offerta comprende MOSFET CoolSiC™a base di carburo di silicio, i diodi corrispondenti e HEMT CoolGaN ™ a base di nitruro di gallio. Sono disponibili varie soluzioni, da quelle caratterizzate da prezzi eccezionali a quelle con una robustezza senza pari, fino ai dispositivi migliori della categoria. Ciò consente ai clienti di creare applicazioni più efficienti, ecologiche e sostenibili.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS
Infineon Technologies Driver di porta 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT 1.595A magazzino
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Infineon Technologies Driver di porta ISOLATED DRIVER 252A magazzino
1.00002/03/2026 previsto
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Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC CHIP/DISCRETE 699A magazzino
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Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DIODES 420A magazzino
1.50012/03/2026 previsto
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Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DIODES 654A magazzino
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Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DIODES 535A magazzino
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Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DIODES 646A magazzino
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Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DISCRETE 1.018A magazzino
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Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DISCRETE 64A magazzino
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Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DISCRETE 663A magazzino
1.00023/07/2026 previsto
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Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC CHIP/DISCRETE 28A magazzino
2.50006/03/2026 previsto
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Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC CHIP/DISCRETE 229A magazzino
24012/03/2026 previsto
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Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC CHIP/DISCRETE 305A magazzino
24024/02/2026 previsto
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Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DISCRETE
47028/01/2027 previsto
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Infineon Technologies Diodi e raddrizzatori Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 10 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package 5A magazzino
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Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 200A magazzino
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Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 151A magazzino
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 642A magazzino
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 718A magazzino
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Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1.593A magazzino
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 862A magazzino
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Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 358A magazzino
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Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1.499A magazzino
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Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 363A magazzino
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Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1.795A magazzino
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