LMG3526R030 FET GaN con driver integrato

Il dispositivo FET GaN con driver integrato LMG3526R030 di Texas Instruments è dotato di protezioni ed è destinato ai convertitori di potenza in modalità di commutazione e consente ai progettisti di raggiungere nuovi livelli di densità di potenza e di efficienza. LMG3526R030 integra un driver al silicio che consente velocità di commutazione fino a 150V/ns. La polarizzazione del gate di precisione integrata di TI ’s che si traduce in SOA di commutazione maggiore rispetto ai gate driver in silicio discreti. Questa integrazione, combinata con il package a bassa induttanza di TI, fornisce commutazione pulita e riverbero minimo nelle topologie di alimentazione hard-switching. La forza regolabile del gate driver consente di controllare lo slew rate da 20 V/ns a 150 V/ns, controllando attivamente le EMI e ottimizzando le prestazioni di commutazione.