MMBT4401-13-F

Diodes Incorporated
621-MMBT4401-13-F
MMBT4401-13-F

Produttore:

Descrizione:
Transistor bipolari - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN

Modello ECAD:
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Produttore Codice prodotto:
Imballaggio:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilità:
A magazzino
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Min:
1

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Diodes Incorporated
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS::  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
NPN
Single
600 mA
40 V
60 V
6 V
750 mV
310 mW
250 MHz
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Diodes Incorporated
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: CN
Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 20 at 100 uA, 1 V
Guadagno in corrente CC hFE max: 300 at 150 mA, 1 V
Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica: 10000
Sottocategoria: Transistors
Peso unità: 8 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MMBT4401 Bipolar Junction Transistor

Diodes Incorporated MMBT4401 Bipolar Junction Transistor (BJT) with epitaxial planar die construction is a 40V NPN small signal transistor. The MMBT4401 is qualified to AEC-Q101 standards for high reliability, available in the SOT23 package. This transistor is constructed from molded plastic "Green" compound and complies with UL94V-0 flammability rating. Diodes Incorporated MMBT4401 features a wide storage and operating temperature range of -55ºC to 150ºC. This BJT is RoHS compliant. The MMBT4401 transistor is ideal for medium power amplification and switching.