FGH50T65UPD

onsemi
512-FGH50T65UPD
FGH50T65UPD

Produttore:

Descrizione:
IGBTs 650 V 100 A 240 W

Ciclo di vita:
NRND:
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Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: IGBTs
RoHS::  
REACH - SVHC:
Si
TO-247
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
100 A
340 W
- 55 C
+ 175 C
FGH50T65UPD
Tube
Marchio: onsemi
Corrente di perdita gate-emettitore: 400 nA
Tipo di prodotto: IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica: 30
Sottocategoria: IGBTs
Peso unità: 6,390 g
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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