MRF1K50HR5

NXP Semiconductors
841-MRF1K50HR5
MRF1K50HR5

Produttore:

Descrizione:
Transistor RF MOSFET Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

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NXP
Categoria prodotto: Transistor RF MOSFET
RoHS::  
N-Channel
Si
36 A
135 V
1.8 MHz to 500 MHz
23.7 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230H-4S
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: NXP Semiconductors
Transconduttanza diretta - Min: 33.5 S
Numero di canali: 2 Channel
Pd - Dissipazione di potenza: 1.667 kW
Tipo di prodotto: RF MOSFET Transistors
Serie: MRF1K50H
Quantità colli di fabbrica: 50
Sottocategoria: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensione gate-source: + 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 2.2 V
Alias n. parte: 935313284178
Peso unità: 0,001 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MRF1K50H 1500W RF Power LDMOS Transistor

NXP MRF1K50H 1500W RF Power LDMOS Transistor combines high RF output power with superior ruggedness and thermal performance. The transistor is designed to deliver 1.50kW CW at 50V and allows a reduction in the number of transistors in high-power RF amplifiers. MRF1K50H has an input and output design that allows for wide frequency range use from 1.8MHz to 500MHz. Applications include laser and plasma sources to particle accelerators, industrial welding machines, radio and VHF TV broadcast transmitters, and amateur radio linear amplifiers.