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NCV8406DD1CR2G

Name: onsemi NCV8406DD1CR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV8406DD1CR2G
Price: 1.11 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NCV8406DD1CR2G

N. produttore:

NCV8406DD1CR2G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET AUTOMOTIVE SMARTFET

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

NCV8406DD1CR2G Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	210 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	14 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.2 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	692 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	486 ns
Serie:	NCV8406DD1CR2G
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	1600 ns
Tipico ritardo di accensione:	127 ns

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Scheda dati

NCV8406DD1CR2G Scheda dati (PDF)

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Filippine
Paese di origine dell'assemblaggio:: Filippine
Paese di diffusione:: Repubblica Ceca

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Driver doppio a valle autoprotetto NCV8406DD

onsemi NCV8406DD Dual Self-Protected Low-Side Driver is a dual-protected low-side smart, discrete device with a temperature and current limit. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated drain-to-gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments.

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NCV8406DD1CR2G

Produttore: onsemi

Descrizione: MOSFET AUTOMOTIVE SMARTFET

Caratteristiche tecniche

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