NCV8406DD1CR2G

onsemi
863-NCV8406DD1CR2G
NCV8406DD1CR2G

Produttore:

Descrizione:
MOSFET AUTOMOTIVE SMARTFET

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
Novità da questo produttore.
Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
210 mOhms
- 14 V, 14 V
2 V
- 40 C
+ 150 C
1.2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Configurazione: Dual
Tempo di caduta: 692 ns
Sensibili all’umidità: Yes
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 486 ns
Serie: NCV8406DD1CR2G
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 2-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 1600 ns
Tipico ritardo di accensione: 127 ns
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Filippine
Paese di origine dell'assemblaggio:
Filippine
Paese di diffusione:
Repubblica Ceca
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Driver doppio a valle autoprotetto NCV8406DD

onsemi NCV8406DD Dual Self-Protected Low-Side Driver is a dual-protected low-side smart, discrete device with a temperature and current limit. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated drain-to-gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments.

A magazzino: 2.475

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