TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Vishay / Siliconix MOSFET 60V 90A 300W 4.9mohm @ 10V Non disponibile a magazzino
Min: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 300 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement TrenchFET Tube

Vishay Semiconductors MOSFET 40V Vds 20V Vgs SOT-23 Tempo di consegna, se non a magazzino 4 settimane

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 5.6 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel