Moduli di potenza IGBT 7
I moduli di potenza Insulated-Gate transistore bipolare (IGBT) 7 di Microchip Technology sono costituiti da più chip IGBT e diodi a rotazione libera incapsulati in un singolo package creando una soluzione compatta ed efficiente per applicazioni ad alta potenza. Questi moduli controllano e convertono l'energia elettrica e presentano una capacità di potenza aumentata e perdite di potenza minori. La gamma IGBT 7 include una varietà di tipi e topologie di package con un intervallo di tensione da 1.200 V a 1.700 V e una portata di corrente da 50 A a 900 A. Questi moduli di potenza rappresentano un miglioramento rispetto alle generazioni precedenti, offrendo valori VCE(sat) e Vf inferiori, controllabilità di dv/dt potenziata, capacità di corrente maggiore del 50%, capacità di sovraccarico a Tj+175 °C, morbidezza diodo di ricircolo migliorata e guida più semplice. Queste caratteristiche forniscono una proposta valore differenziata di densità ad alta potenza, costi di sistema ridotti, efficienza più elevata, facilità d'uso, durata e time to market più veloce.
