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NTB004N10G

Name: onsemi NTB004N10G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB004N10G
Price: 5.62 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTB004N10G

N. produttore:

NTB004N10G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET MV5 SOAFET 4.2MOHM 100V N-FET D2PAK

Scheda dati:

NTB004N10G Scheda dati

Modello ECAD:

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MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	5,62 €	5,62 €
	4,01 €	40,10 €
	3,47 €	347,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 800)
	3,40 €	2.720,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	201 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.2 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	175 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	340 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	NTB004N10G
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	4 g

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Scheda dati

NTB004N10G Scheda dati

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N NTB004N10G

Il MOSFET di potenza a canale N NTB004N10G di onsemi è un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N 100 V (V_DSS) specificato per l'energia di valanga, 201 A (I_D), fornito in un package D²PAK. Questo MOSFET offre una bassa R_DS(on) di 4,2 mΩ @10V, fornendo una tecnologia robusta per garantire la massima affidabilità, ed è tollerante hot-swap con una curva dell'area operativa sicura (SOA) superiore rispetto ai MOSFET standard. Il MOSFET NTB004N10G di onsemi è progettato per applicazioni in ampie SOA a partire da un bus di 48 V, includendo apparecchiature di telecomunicazione, hot-swap e server. Altre applicazioni tipiche includono convertitori e alimentatori.