APS6408L-3OC-BA

AP Memory
878-APS6408L-3OC-BA
APS6408L-3OC-BA

Produttore:

Descrizione:
DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RA6M RZ/A SoC)

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
AP Memory Technology
Categoria prodotto: DRAM
RoHS::  
PSRAM (Pseudo SRAM)
64 Mbit
8 bit
200 MHz
BGA-24
8 M x 8
2.7 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IoT RAM
Tray
Marchio: AP Memory
Sensibili all’umidità: Yes
Stile di montaggio: SMD/SMT
Tipo di prodotto: DRAM
Quantità colli di fabbrica: 4800
Sottocategoria: Memory & Data Storage
Prodotti trovati:
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Attributi selezionati: 0

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

APS6408L-3OC-BA DDR Octal SPI PSRAM

AP Memory APS6408L-3OC-BA Double Data Rate (DDR) Octal SPI PSRAM is designed with auto temperature-compensated self-refresh by the built-in temperature sensor and partial array self-refresh. This octal PSRAM features software reset, reset pin, and an ultra-low power half-sleep mode with data retention. The APS6408L-3OC-BA PSRAM offers a clock rate of up to 133MHz 266Mb/s read/write throughput operating within a 2.7V to 3.6V (VDD) single supply voltage range. This octal PSRAM holds 64MB in capacity and is organized in an 8M x 8-bit configuration. It utilizes a page size of 1024 bytes, and the column addresses range from AY0 to AY9, while row addresses span from AX0 to AX12.