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NVMFWS1D7N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D7N04XMT1G
Price: 1.78 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-VMFWS1D7N04XMT1G

N. produttore:

NVMFWS1D7N04XMT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

NVMFWS1D7N04XMT1G Scheda dati (PDF)

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,78 €	1,78 €
	1,14 €	11,40 €
	0,787 €	78,70 €
	0,667 €	333,50 €
	0,557 €	557,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	0,513 €	769,50 €
	0,486 €	1.458,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFNW-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	154 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.65 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	29 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	75 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	17 ns
Transconduttanza diretta - Min:	77 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	13 ns
Serie:	NVMFWS1D7N04XM
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	10 ns
Tipico ritardo di accensione:	7 ns

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Scheda dati

NVMFWS1D7N04XMT1G Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET NVMFWS1D7N04XM

Il MOSFET NVMFWS1D7N04XM di onsemi è un MOSFET singolo con gate STD a canale N, in un package SO8FL. Il dispositivo presenta una tensione drain-to-source di 40 V, una corrente di drain continua di 154 A ed è qualificato AEC-Q101. Il MOSFET NVMFWS1D7N04XM di onsemi minimizza le perdite di driver e conduzione con bassa capacità elettrica e R_DS(on). L'NVMFWS1D7N04XM presenta un ingombro ridottissimo di 5 mm x 6 mm ed è ideale per unità di azionamento motore, protezione della batteria e raddrizzamento sincrono.