PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Nexperia MOSFET PMDXB950UPEL/SOT1216/DFN1010B-
Scheda dati
4.987A magazzino
10.000In ordine
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Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 5 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1216 2NCH 30V .59A
Scheda dati
140.00008/02/2027 previsto
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Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 30 V 590 mA 670 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 1.05 nC - 55 C + 150 C 4.03 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMDXB1200UPE/SOT1216/DFN1010B-
Scheda dati
15.14008/02/2027 previsto
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Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 30 V 410 mA 1.4 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 410 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1216 2NCH 20V .6A
Scheda dati
9.20008/02/2027 previsto
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Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 20 V 600 mA 470 mOhms, 470 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 700 pC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMDXB600UNE/SOT1216/DFN1010B-6
Scheda dati
24.99308/02/2027 previsto
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Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 20 V 600 mA 3 Ohms, 3 Ohms - 8 V, 8 V 450 mV 400 pC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMDXB950UPE/SOT1216/DFN1010B-6
Scheda dati
5.00008/02/2027 previsto
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Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 5 Ohms - 8 V, 8 V 450 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel