DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFETs were designed to minimize the on-state resistance RDS(on) and yet maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFETs from Diodes Incorporated feature low On-Resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speed, and low input/output leakage.

Risultati: 3
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Confezione

Diodes Incorporated MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
Scheda dati
2.381A magazzino
108.000In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 845 mA, 1.066 A 450 mOhms, 750 mOhms - 6 V, 6 V 500 mV 736.6 nC, 622.4 pC - 55 C + 150 C 330 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
Scheda dati
278.008In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 820 mA 750 mOhms - 6 V, 6 V 500 mV 622.4 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS:
Scheda dati
103.515In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 6.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 820 mA 1.5 Ohms - 6 V, 6 V 1 V 622.4 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel