Driver di porta IGBT/SiC avanzati GD3162

NXP Semiconductors GD3162 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters. The NXP Semiconductors GD3162 drivers enable space savings and performance through advanced gate-drive functionality. The device includes integrated galvanic isolation, a programmable SPI interface, and advanced protection features like overtemperature, desaturation, and current sense protection. With integrated boost capability, the GD3162 can directly drive most SiC MOSFET and IGBT/SiC module gates.

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Qtà RoHS Modello ECAD Serie
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NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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70421/07/2026 previsto
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GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
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