MOSFET di potenza standard/HiPerFET™ TrenchT2™

I MOSFET di potenza standard e HiPerFET™ TrenchT2™ di Littelfuse sono MOSFET ad arricchimento, a canale singolo o doppio che offrono capacità di trasporto di corrente elevata (fino a 600 A). Questi dispositivi presentano una bassa resistenza in conduzione drain-source (da 3,5 mΩ a 22 mΩ) e una carica del gate (da 25,5 nC a 178 NC) all'interno di un ampio intervallo delle temperature di funzionamento da -55 °C a +175 °C. Disponibili in vari package compatti, i MOSFET TrenchT2 sono ideali per sistemi di conversione di potenza a corrente elevata e bassa tensione.

Risultati: 9
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
IXYS MOSFET DUAL PHASE LEGCONFIG 150V 53A MOSFET
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 300
Mult.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 2 Channel 150 V 53 A 20 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 180 W TrenchT2 Tube
IXYS MOSFET IXFA76N15T2 TRL
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 34 settimane
Min: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET TO268 100V 320A N-CH TRENCH
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 34 settimane
Min: 400
Mult.: 400
: 400

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 154 nC 735 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA100N04T2 TRL
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA110N055T2 TRL
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 34 settimane
Min: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 57 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA200N055T2 TRL
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA220N04T2 TRL
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA230N075T2 TRL
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 34 settimane
Min: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTY90N055T2 TRL
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 34 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 55 V 90 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 175 C 150 W TrenchT2 Reel