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STW68N60M6

Name: STMicroelectronics STW68N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW68N60M6
Price: 5.4 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-STW68N60M6

N. produttore:

STW68N60M6

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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Scheda dati:

STW68N60M6 Scheda dati (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	63 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	41 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.75 V
Qg - Carica del gate:	106 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	390 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	8 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	28 ns
Serie:	Mdmesh M6
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	130 ns
Tipico ritardo di accensione:	42 ns
Peso unità:	6 g

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Scheda dati

STW68N60M6 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET M6 MDmesh™

I MOSFET M6 MDmesh™ di STMicroelectronics combinano una bassa carica del gate (Q_g) con un profilo di capacità ottimizzato per ottenere un'efficienza elevata su nuove topologie nelle applicazioni di conversione di potenza. La serie M6 MDmesh con super-junction offre prestazioni dall'efficienza estremamente elevata che si traducono in una maggiore densità di potenza e una bassa carica del gate per frequenze elevate. I MOSFET serie M6 hanno una tensione di rottura compresa tra 600 e 700 V e sono disponibili in una vasta gamma di opzioni di imballaggio tra cui una soluzione di package TO-Leadless (TO-LL) che consente un'efficiente gestione termica. I dispositivi includono una vasta gamma di tensioni operative per applicazioni industriali come caricabatterie, adattatori, moduli in scatola argento, illuminazione LED, telecomunicazioni, server e l'industria del solare.