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NDSH20120CDN

Name: onsemi NDSH20120CDN
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120CDN
Price: 8.26 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NDSH20120CDN

N. produttore:

NDSH20120CDN

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Diodi Schottky SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

Scheda dati:

NDSH20120CDN Scheda dati

Modello ECAD:

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	4,45 €	2.002,50 €
	4,33 €	3.897,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Configurazione:	Dual Anode Common Cathode
If - Corrente diretta:	24 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensione diretta:	1.75 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	59 A
Ir - Corrente inversa:	1 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	NDSH20120CDN
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Pd - Dissipazione di potenza:	94 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Nome commerciale:	EliteSiC
Vr - Tensione inversa:	1.2 kV

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Scheda dati

NDSH20120CDN Scheda dati

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Diodi EliteSiC D3

I diodi EliteSiC D3 di onsemi sono una soluzione per applicazioni che richiedono PFC ad alta potenza e raddrizzamento di uscita. Il D3 di onsemi ha una tensione nominale massima di 1200 V. Questi diodi sono disponibili in due opzioni di package, TO-247-2LD e TO-247-3LD, e forniscono flessibilità per vari progetti. I diodi Elitesici D3 sono ottimizzati per il funzionamento ad alta temperatura con bassa dipendenza dalla temperatura di resistenza in serie, garantendo prestazioni costanti e affidabili anche in condizioni estreme.

Diodo Schottky al carburo di silicio (SiC) NDSH20120CDN

Il diodo Schottky al carburo di silicio (SiC) NDSH20120CDN di onsemi offre eccellenti capacità di commutazione e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nel diodo NDSH20120CDN racchiuso nel package TO-247-3LD non vi è una corrente di recupero inverso, presenta caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, frequenza di funzionamento rapida, maggiore densità di potenza, riduzione delle interferenze elettromagnetiche, dimensioni e costi del sistema ridotti. Questo diodo EliteSiC offre un coefficiente di temperatura positivo e facilità di collegamento in parallelo.