MOSFET per il settore automotive CoolSiC™ 1700 V

I MOSFET Infineon Technologies CoolSiC™ da 1700 V per il settore automotiveconsentono topologie flyback per alimentatori ausiliari e convertitori DC-DC. Questi dispositivi hanno una corrente di drain CC continua (IDDC) per Rth(jc,max) compresa tra 7,4 A e 15 A a 25 °C e tra 5,6 A e 10,5 A a 100 °C. La tecnologia dei MOSFET a trincea SiC di Infineon Technologies offre un pilotaggio 0 V/20 V per la tensione gate-source, compatibile con la maggior parte dei controller flyback per le applicazioni del settore automobilistico.

Risultati: 3
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Infineon Technologies MOSFET SiC Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Scheda dati
525A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 752 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Scheda dati
750In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 15 A 340 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Scheda dati
750In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 11.2 A 485 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 17.5 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement