U-MOSVIII-H Low Voltage High Efficiency MOSFETs

Toshiba U-MOSVIII-H Low Voltage High-Efficiency MOSFETs are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies for notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, flat-panel displays, and more. They are also designed for use in DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. Toshiba U-MOSVIII-H Low Voltage High-Efficiency MOSFETs are fabricated with Gen 8 trench MOS process, which helps improve power supply efficiency. Other features include low drain-source on-resistance, low leakage current, and high avalanche ruggedness. The series also includes automotive-qualified MOSFETs in a small package.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Confezione
Toshiba MOSFET N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 9.224A magazzino
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Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 3.725A magazzino
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Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 30V N-ch Common drain FET Rss:9.9mOhm Vgs: 10V Pd:0.88W Pkg: TCSPAG 19.353A magazzino
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V - 20 V, 20 V 2.3 V 17.3 nC + 150 C 1.51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 8.529A magazzino
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 41.441A magazzino
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Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SOP8 N-CH 80V 146A 4.914A magazzino
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Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 116 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 59 nC + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape