LFPAK8 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK8 Automotive N-channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single-power MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.

Risultati: 3
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Confezione
onsemi MOSFET 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
Scheda dati
2.965A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
Scheda dati
40A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 31 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T8 80V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
Scheda dati
3.00015/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 2 Channel 80 V 30 A 19.5 mOhms 20 V 2 V 11.4 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape