SQSA12CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQSA12CENW-T1_GE3
SQSA12CENW-T1_GE3

Produttore:

Descrizione:
MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Vishay
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8W
N-Channel
1 Channel
100 V
18 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
62.5 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Vishay / Siliconix
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 9 ns
Transconduttanza diretta - Min: 47 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 4 ns
Serie: SQS
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: TrenchFET Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico: 25 ns
Tipico ritardo di accensione: 11 ns
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SQSA12CENW MOSFET per il settore automobilistico N-Ch 100V

Il MOSFET per il settore automobilistico N-Ch 100 V SQSA12CENW di Vishay / Siliconix è un MOSFET di potenza TrenchFET® con qualifica AEC-Q101. Il MOSFET SQSA12CENW ha una ID di 18A, una VDS di 100V e una RDS(on) di 0,022Ω. Il MOSFET N-Ch da 100 V SQSA12CENW di Vishay / Siliconix è disponibile in un singolo package PowerPAK® 1212-8 W ed è specificato in un intervallo di temperatura di funzionamenti di giunzione e conservazione da -55°C a +175°C.